SWB035R08ET MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWB035R08ET
   Código: SW035R08ET
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 196 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 185 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 218 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 885 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWB035R08ET

SWB035R08ET Datasheet (PDF)

..1. Size:646K samwin
swb035r08et.pdf

SW035R08ET N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features TO-263 BVDSS : 80V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.3m Low Gate Charge (Typ 185nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application:Synchronous Rectification, Inverter, 2 3 Li Battery Protect Board 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

..2. Size:709K samwin
sw035r08et swb035r08et.pdf

9.1. Size:752K samwin
swp036r10e8s swb036r10e8s.pdf

SW036R10E8SN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 100V High ruggednessID : 175A Low RDS(ON) (Typ 3.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC)RDS(ON) :3.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested211 Application:Synchronous Rectification,2233Li Battery Protect Board, Motor Drivers11. Gate 2.

9.2. Size:725K samwin
swp031r06et swb031r06et.pdf

SW031R06ET N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.0m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.0m Low Gate Charge (Typ 148nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectificat

9.3. Size:728K samwin
swb038r10es swp038r10es.pdf

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.6m Low Gate Charge (Typ 132nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 3 3 Inverter , Li Battery Protect Bo

9.4. Size:978K samwin
swp030r04vt swb030r04vt.pdf

SW030R04VTN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 BVDSS : 40VTO-263 High ruggednessID : 130A Low RDS(ON) (Typ 3.7m)@VGS=4.5VRDS(ON) : 3.7m@VGS=4.5V(Typ 2.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 120nC)2.8m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 12 2 100% Avalanche Tested23 3 Application:Power Supply,LED Boost1. Gate 2.

9.5. Size:905K samwin
sw038r10es swb038r10es swp038r10es swt038r10es.pdf

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220/TO-247 MOSFET Features TO-263 TO-220 TO-247 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.6m Low Gate Charge (Typ 132nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 2 3 3 3 Inverter ,

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

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