SWB035R08ET Todos los transistores

 

SWB035R08ET MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWB035R08ET
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 196 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 218 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 885 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

 Búsqueda de reemplazo de SWB035R08ET MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWB035R08ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:646K  samwin
 swb035r08et.pdf pdf_icon

SWB035R08ET

SW035R08ET N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features TO-263 BVDSS : 80V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.3m Low Gate Charge (Typ 185nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application:Synchronous Rectification, Inverter, 2 3 Li Battery Protect Board 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 ..2. Size:709K  samwin
 sw035r08et swb035r08et.pdf pdf_icon

SWB035R08ET

SW035R08ET N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features TO-263 BVDSS : 80V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.3m Low Gate Charge (Typ 185nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application:Synchronous Rectification, Inverter, 2 3 Li Battery Protect Board 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 9.1. Size:752K  samwin
 swp036r10e8s swb036r10e8s.pdf pdf_icon

SWB035R08ET

SW036R10E8SN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 100V High ruggednessID : 175A Low RDS(ON) (Typ 3.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC)RDS(ON) :3.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested211 Application:Synchronous Rectification,2233Li Battery Protect Board, Motor Drivers11. Gate 2.

 9.2. Size:725K  samwin
 swp031r06et swb031r06et.pdf pdf_icon

SWB035R08ET

SW031R06ET N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.0m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.0m Low Gate Charge (Typ 148nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectificat

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SSF50R140S , SSP50R140S , SSW50R140S , SSA50R140S , SSF50R240S , SSP50R240S , SSW50R240S , SSA50R240S , AO4407 , SWB038R10ES , SWP038R10ES , SWT038R10ES , SWH055R03VT , SWHA055R03VT , SWB075R06ET , SWP075R06ET , SWK088R06VT .

History: WMS04N10TS | AP9987GJ | 2SK1081 | IRFHM8363 | 2SK1303 | STD17NF03LT4 | IRF8736TR

 

 
Back to Top

 


 
.