SWB035R08ET Todos los transistores

 

SWB035R08ET MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWB035R08ET

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 196 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 218 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 885 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm

Encapsulados: TO-263

 Búsqueda de reemplazo de SWB035R08ET MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SWB035R08ET datasheet

 ..1. Size:646K  samwin
swb035r08et.pdf pdf_icon

SWB035R08ET

SW035R08ET N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features TO-263 BVDSS 80V High ruggedness ID 120A Low RDS(ON) (Typ 3.3m )@VGS=10V RDS(ON) 3.3m Low Gate Charge (Typ 185nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application Synchronous Rectification, Inverter, 2 3 Li Battery Protect Board 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 ..2. Size:709K  samwin
sw035r08et swb035r08et.pdf pdf_icon

SWB035R08ET

SW035R08ET N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features TO-263 BVDSS 80V High ruggedness ID 120A Low RDS(ON) (Typ 3.3m )@VGS=10V RDS(ON) 3.3m Low Gate Charge (Typ 185nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application Synchronous Rectification, Inverter, 2 3 Li Battery Protect Board 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 9.1. Size:752K  samwin
swp036r10e8s swb036r10e8s.pdf pdf_icon

SWB035R08ET

SW036R10E8S N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 100V High ruggedness ID 175A Low RDS(ON) (Typ 3.8m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC) RDS(ON) 3.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Motor Drivers 1 1. Gate 2.

 9.2. Size:725K  samwin
swp031r06et swb031r06et.pdf pdf_icon

SWB035R08ET

SW031R06ET N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS 60V High ruggedness ID 120A Low RDS(ON) (Typ 3.0m )@VGS=10V RDS(ON) 3.0m Low Gate Charge (Typ 148nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectificat

Otros transistores... SSF50R140S , SSP50R140S , SSW50R140S , SSA50R140S , SSF50R240S , SSP50R240S , SSW50R240S , SSA50R240S , AO4407 , SWB038R10ES , SWP038R10ES , SWT038R10ES , SWH055R03VT , SWHA055R03VT , SWB075R06ET , SWP075R06ET , SWK088R06VT .

History: 4N65KL-TN3-R | 2SJ76 | AOY516 | IPP60R099P7 | 4N60L-TF1-T | IXTT240N15X4HV | HCA70R180

 

 

 

 

↑ Back to Top
.