Справочник MOSFET. SWB035R08ET

 

SWB035R08ET Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWB035R08ET
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 196 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 218 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 885 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SWB035R08ET

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB035R08ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:646K  samwin
 swb035r08et.pdf pdf_icon

SWB035R08ET

SW035R08ET N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features TO-263 BVDSS : 80V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.3m Low Gate Charge (Typ 185nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application:Synchronous Rectification, Inverter, 2 3 Li Battery Protect Board 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 ..2. Size:709K  samwin
 sw035r08et swb035r08et.pdf pdf_icon

SWB035R08ET

SW035R08ET N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features TO-263 BVDSS : 80V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.3m Low Gate Charge (Typ 185nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application:Synchronous Rectification, Inverter, 2 3 Li Battery Protect Board 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 9.1. Size:752K  samwin
 swp036r10e8s swb036r10e8s.pdf pdf_icon

SWB035R08ET

SW036R10E8SN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 100V High ruggednessID : 175A Low RDS(ON) (Typ 3.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC)RDS(ON) :3.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested211 Application:Synchronous Rectification,2233Li Battery Protect Board, Motor Drivers11. Gate 2.

 9.2. Size:725K  samwin
 swp031r06et swb031r06et.pdf pdf_icon

SWB035R08ET

SW031R06ET N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.0m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.0m Low Gate Charge (Typ 148nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectificat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSF50R140S , SSP50R140S , SSW50R140S , SSA50R140S , SSF50R240S , SSP50R240S , SSW50R240S , SSA50R240S , P60NF06 , SWB038R10ES , SWP038R10ES , SWT038R10ES , SWH055R03VT , SWHA055R03VT , SWB075R06ET , SWP075R06ET , SWK088R06VT .

History: SFG100N08KF | SQP120N10-3M8 | SST65R600S2 | TIS75 | MSU5N60F | ASDM4406S | BUZ10S2

 

 
Back to Top

 


 
.