Справочник MOSFET. SWB035R08ET

 

SWB035R08ET Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWB035R08ET
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 196 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 218 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 885 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB035R08ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:646K  samwin
swb035r08et.pdfpdf_icon

SWB035R08ET

SW035R08ET N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features TO-263 BVDSS : 80V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.3m Low Gate Charge (Typ 185nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application:Synchronous Rectification, Inverter, 2 3 Li Battery Protect Board 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 ..2. Size:709K  samwin
sw035r08et swb035r08et.pdfpdf_icon

SWB035R08ET

SW035R08ET N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features TO-263 BVDSS : 80V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.3m Low Gate Charge (Typ 185nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application:Synchronous Rectification, Inverter, 2 3 Li Battery Protect Board 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 9.1. Size:752K  samwin
swp036r10e8s swb036r10e8s.pdfpdf_icon

SWB035R08ET

SW036R10E8SN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 100V High ruggednessID : 175A Low RDS(ON) (Typ 3.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC)RDS(ON) :3.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested211 Application:Synchronous Rectification,2233Li Battery Protect Board, Motor Drivers11. Gate 2.

 9.2. Size:725K  samwin
swp031r06et swb031r06et.pdfpdf_icon

SWB035R08ET

SW031R06ET N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.0m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.0m Low Gate Charge (Typ 148nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectificat

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.