SWT038R10ES Todos los transistores

 

SWT038R10ES MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWT038R10ES

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 171 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO-247

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SWT038R10ES datasheet

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SWT038R10ES

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220/TO-247 MOSFET Features TO-263 TO-220 TO-247 BVDSS 100V High ruggedness ID 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m )@VGS=10V RDS(ON) 3.6m Low Gate Charge (Typ 132nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 3 Inverter ,

 ..2. Size:677K  samwin
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SWT038R10ES

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS 100V High ruggedness ID 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 132nC) RDS(ON) 3.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 Application Synchronous Rectification, 3 Inverter , Li Battery Protect Board 1. Gate 2. Drain 3.

Otros transistores... SSA50R140S , SSF50R240S , SSP50R240S , SSW50R240S , SSA50R240S , SWB035R08ET , SWB038R10ES , SWP038R10ES , IRFP250 , SWH055R03VT , SWHA055R03VT , SWB075R06ET , SWP075R06ET , SWK088R06VT , SWI088R06VT , SWD088R06VT , SWHA088R06VT .

History: 2SK1197 | 4N65G-TMS4-T | RUE002N02 | SWD10N65K2 | HY3410PM | RF4E110BN | HY3410B

 

 

 

 

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