SWT038R10ES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWT038R10ES
Código: SW038R10ES
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 132 nC
Tiempo de subida (tr): 171 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1050 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWT038R10ES
SWT038R10ES Datasheet (PDF)
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SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220/TO-247 MOSFET Features TO-263 TO-220 TO-247 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.6m Low Gate Charge (Typ 132nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 2 3 3 3 Inverter ,
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SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 132nC) RDS(ON) : 3.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 Application:Synchronous Rectification, 3 Inverter , Li Battery Protect Board 1. Gate 2. Drain 3.
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
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Liste
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