SWT038R10ES - аналоги и даташиты транзистора

 

SWT038R10ES - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SWT038R10ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 171 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для SWT038R10ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT038R10ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:905K  samwin
 sw038r10es swb038r10es swp038r10es swt038r10es.pdf pdf_icon

SWT038R10ES

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220/TO-247 MOSFET Features TO-263 TO-220 TO-247 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.6m Low Gate Charge (Typ 132nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 2 3 3 3 Inverter ,

 ..2. Size:677K  samwin
 swt038r10es.pdf pdf_icon

SWT038R10ES

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 132nC) RDS(ON) : 3.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 Application:Synchronous Rectification, 3 Inverter , Li Battery Protect Board 1. Gate 2. Drain 3.

Другие MOSFET... SSA50R140S , SSF50R240S , SSP50R240S , SSW50R240S , SSA50R240S , SWB035R08ET , SWB038R10ES , SWP038R10ES , IRFP250 , SWH055R03VT , SWHA055R03VT , SWB075R06ET , SWP075R06ET , SWK088R06VT , SWI088R06VT , SWD088R06VT , SWHA088R06VT .

History: AP10TN040H | 2SK3923-01 | 2SK1116 | 2SK1134 | IRF3706S | RU6199S | 2N6790U

 

 
Back to Top

 


 
.