SWT038R10ES MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWT038R10ES
Маркировка: SW038R10ES
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 132 nC
Время нарастания (tr): 171 ns
Выходная емкость (Cd): 1050 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для SWT038R10ES
SWT038R10ES Datasheet (PDF)
sw038r10es swb038r10es swp038r10es swt038r10es.pdf
SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220/TO-247 MOSFET Features TO-263 TO-220 TO-247 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.6m Low Gate Charge (Typ 132nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 2 3 3 3 Inverter ,
swt038r10es.pdf
SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 132nC) RDS(ON) : 3.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 Application:Synchronous Rectification, 3 Inverter , Li Battery Protect Board 1. Gate 2. Drain 3.
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IXTH152N085T
