Справочник MOSFET. SWT038R10ES

 

SWT038R10ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWT038R10ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 171 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для SWT038R10ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT038R10ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:905K  samwin
 sw038r10es swb038r10es swp038r10es swt038r10es.pdf pdf_icon

SWT038R10ES

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220/TO-247 MOSFET Features TO-263 TO-220 TO-247 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.6m Low Gate Charge (Typ 132nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 2 3 3 3 Inverter ,

 ..2. Size:677K  samwin
 swt038r10es.pdf pdf_icon

SWT038R10ES

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 132nC) RDS(ON) : 3.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 Application:Synchronous Rectification, 3 Inverter , Li Battery Protect Board 1. Gate 2. Drain 3.

Другие MOSFET... SSA50R140S , SSF50R240S , SSP50R240S , SSW50R240S , SSA50R240S , SWB035R08ET , SWB038R10ES , SWP038R10ES , STF13NM60N , SWH055R03VT , SWHA055R03VT , SWB075R06ET , SWP075R06ET , SWK088R06VT , SWI088R06VT , SWD088R06VT , SWHA088R06VT .

History: 5N60L-TF2-T | IRHN9230 | SML50A23 | MI4800 | IRF7905 | IPP100N12S3-05 | WML07N65C2

 

 
Back to Top

 


 
.