SWH055R03VT Todos los transistores

 

SWH055R03VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWH055R03VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 327 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0071 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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SWH055R03VT Datasheet (PDF)

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SWH055R03VT

SW055R03VT N-channel Enhanced mode DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : 30V DFN5*6 DFN3*3 High ruggedness ID : 20A Low RDS(ON) (Typ 6.8m)@VGS=4.5V 1 8 1 8 RDS(ON) : 6.8m@VGS=4.5V (Typ 5.7m)@VGS=10V 2 7 2 7 Low Gate Charge (Typ 25nC) 6 6 3 3 5.7m@VGS=10V 4 5 5 4 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D A

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SWH055R03VT

SW055R03VTN-channel Enhanced mode DFN3*3/DFN5*6 MOSFETFeaturesBVDSS : 30VDFN5*6DFN3*3 High ruggednessID : 20A Low RDS(ON) (Typ 6.8m)@VGS=4.5V1 8 1 8RDS(ON) : 6.8m@VGS=4.5V(Typ 5.7m)@VGS=10V2 7 2 7 Low Gate Charge (Typ 25nC) 6 63 35.7m@VGS=10V4 5 54 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche TestedD Application:DC-DC Converte

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History: 2SK1116 | JMPL1025AK | 2SK1482 | DMN2041L | IRF9952Q | SWN4N65D

 

 
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