Справочник MOSFET. SWH055R03VT

 

SWH055R03VT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWH055R03VT
   Маркировка: SW055R03V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 327 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для SWH055R03VT

 

 

SWH055R03VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:913K  samwin
 swh055r03vt swha055r03vt.pdf

SWH055R03VT SWH055R03VT

SW055R03VT N-channel Enhanced mode DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : 30V DFN5*6 DFN3*3 High ruggedness ID : 20A Low RDS(ON) (Typ 6.8m)@VGS=4.5V 1 8 1 8 RDS(ON) : 6.8m@VGS=4.5V (Typ 5.7m)@VGS=10V 2 7 2 7 Low Gate Charge (Typ 25nC) 6 6 3 3 5.7m@VGS=10V 4 5 5 4 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D A

 ..2. Size:908K  samwin
 sw055r03vt swh055r03vt swha055r03vt.pdf

SWH055R03VT SWH055R03VT

SW055R03VTN-channel Enhanced mode DFN3*3/DFN5*6 MOSFETFeaturesBVDSS : 30VDFN5*6DFN3*3 High ruggednessID : 20A Low RDS(ON) (Typ 6.8m)@VGS=4.5V1 8 1 8RDS(ON) : 6.8m@VGS=4.5V(Typ 5.7m)@VGS=10V2 7 2 7 Low Gate Charge (Typ 25nC) 6 63 35.7m@VGS=10V4 5 54 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche TestedD Application:DC-DC Converte

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top