SWK088R06VT Todos los transistores

 

SWK088R06VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWK088R06VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 207 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWK088R06VT Datasheet (PDF)

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SWK088R06VT

SW088R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 TO-252 DFN5*6 SOP-8 BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V ID : 40A 5 6 Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V 7 8 RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC) 4 3 Improved dv/dt Capability 2 9.2m@VGS=10V 1 100% A

 ..2. Size:803K  samwin
 swk088r06vt.pdf pdf_icon

SWK088R06VT

SW088R06VTN-channel Enhanced mode SOP8 MOSFETFeaturesSOP8BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5VID : 40A56Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V 78RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC)43 Improved dv/dt Capability 29.2m@VGS=10V1 100% Avalanche Tested Application: Electronic Ballast, Motor DControl Sync

 9.1. Size:845K  samwin
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SWK088R06VT

SW083R06VLSN-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFETFeaturesSOP-8BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 13m)@VGS=4.5V5ID : 10A6(Typ 9.7m)@VGS=10V78 Low Gate Charge (Typ 22nC)RDS(ON) : 13m@VGS=4.5V4 Improved dv/dt Capability 39.7m@VGS=10V2 100% Avalanche Tested1 Application:Synchronous Rectification,DLi Battery Protec

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SWK088R06VT

SW083R06VS N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features SOP8 BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 12m)@VGS=4.5V 5 ID : 10A 6 (Typ 9.5m)@VGS=10V 7 8 Low Gate Charge (Typ 18nC) RDS(ON) : 12m@VGS=4.5V 4 Improved dv/dt Capability 3 9.5m@VGS=10V 2 100% Avalanche Tested 1 Application:Synchronous Rectification,

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History: AM2336N-T1 | G11 | NTTFS5116PL | CEF05N6 | SMOS44N80

 

 
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