SWK088R06VT - описание и поиск аналогов

 

SWK088R06VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWK088R06VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 207 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для SWK088R06VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK088R06VT даташит

 ..1. Size:681K  samwin
 sw088r06vt swk088r06vt swi088r06vt swd088r06vt swha088r06vt.pdf pdf_icon

SWK088R06VT

SW088R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 TO-252 DFN5*6 SOP-8 BVDSS 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m )@VGS=4.5V ID 40A 5 6 Low RDS(ON) (Typ 9.2m )@VGS=10V 7 8 RDS(ON) 11m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC) 4 3 Improved dv/dt Capability 2 9.2m @VGS=10V 1 100% A

 ..2. Size:803K  samwin
 swk088r06vt.pdf pdf_icon

SWK088R06VT

SW088R06VT N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features SOP8 BVDSS 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m )@VGS=4.5V ID 40A 5 6 Low RDS(ON) (Typ 9.2m )@VGS=10V 7 8 RDS(ON) 11m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC) 4 3 Improved dv/dt Capability 2 9.2m @VGS=10V 1 100% Avalanche Tested Application Electronic Ballast, Motor D Control Sync

 9.1. Size:845K  samwin
 swk083r06vls.pdf pdf_icon

SWK088R06VT

SW083R06VLS N-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features SOP-8 BVDSS 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 13m )@VGS=4.5V 5 ID 10A 6 (Typ 9.7m )@VGS=10V 7 8 Low Gate Charge (Typ 22nC) RDS(ON) 13m @VGS=4.5V 4 Improved dv/dt Capability 3 9.7m @VGS=10V 2 100% Avalanche Tested 1 Application Synchronous Rectification, D Li Battery Protec

 9.2. Size:669K  samwin
 swk083r06vs.pdf pdf_icon

SWK088R06VT

SW083R06VS N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features SOP8 BVDSS 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 12m )@VGS=4.5V 5 ID 10A 6 (Typ 9.5m )@VGS=10V 7 8 Low Gate Charge (Typ 18nC) RDS(ON) 12m @VGS=4.5V 4 Improved dv/dt Capability 3 9.5m @VGS=10V 2 100% Avalanche Tested 1 Application Synchronous Rectification,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWB035R08ET , SWB038R10ES , SWP038R10ES , SWT038R10ES , SWH055R03VT , SWHA055R03VT , SWB075R06ET , SWP075R06ET , RFP50N06 , SWI088R06VT , SWD088R06VT , SWHA088R06VT , SWU10N70D , SWF10N70K , SWD10N70K , SWF12N65D , SWU12N65D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.