SWK088R06VT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWK088R06VT
Маркировка: SW088R06VT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 48 nC
Время нарастания (tr): 77 ns
Выходная емкость (Cd): 207 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0115 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для SWK088R06VT
SWK088R06VT Datasheet (PDF)
sw088r06vt swk088r06vt swi088r06vt swd088r06vt swha088r06vt.pdf
SW088R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 TO-252 DFN5*6 SOP-8 BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V ID : 40A 5 6 Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V 7 8 RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC) 4 3 Improved dv/dt Capability 2 9.2m@VGS=10V 1 100% A
swk088r06vt.pdf
SW088R06VTN-channel Enhanced mode SOP8 MOSFETFeaturesSOP8BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5VID : 40A56Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V 78RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC)43 Improved dv/dt Capability 29.2m@VGS=10V1 100% Avalanche Tested Application: Electronic Ballast, Motor DControl Sync
swk083r06vls.pdf
SW083R06VLSN-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFETFeaturesSOP-8BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 13m)@VGS=4.5V5ID : 10A6(Typ 9.7m)@VGS=10V78 Low Gate Charge (Typ 22nC)RDS(ON) : 13m@VGS=4.5V4 Improved dv/dt Capability 39.7m@VGS=10V2 100% Avalanche Tested1 Application:Synchronous Rectification,DLi Battery Protec
swk083r06vs.pdf
SW083R06VS N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features SOP8 BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 12m)@VGS=4.5V 5 ID : 10A 6 (Typ 9.5m)@VGS=10V 7 8 Low Gate Charge (Typ 18nC) RDS(ON) : 12m@VGS=4.5V 4 Improved dv/dt Capability 3 9.5m@VGS=10V 2 100% Avalanche Tested 1 Application:Synchronous Rectification,
swk083r06vsm.pdf
SW083R06VSMN-channel Enhanced mode SOP8 MOSFETFeaturesSOP8BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 12m)@VGS=4.5V5ID : 10A6(Typ 9.5m)@VGS=10V78 Low Gate Charge (Typ 18nC)RDS(ON) : 12m@VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 49.5m@VGS=10V3 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,DLi Battery Protect
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
