SWP12N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWP12N65D
Código: SW12N65D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 208.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 51 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 157 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWP12N65D
SWP12N65D Datasheet (PDF)
swf12n65d swu12n65d swp12n65d swb12n65d.pdf
SW12N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220F TO-262 TO-220 TO-263 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 12A Low RDS(ON) (Typ 0.7)@VGS=10V RDS(ON) : 0.7 Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 3 Application:Charger,LED,PC Power 3 3 3 1. Gate 2.
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SW12N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-262 TO-220F TO-220 TO-263 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 12A Low RDS(ON) (Typ 0.7)@VGS=10V RDS(ON) : 0.7 Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 3 Application:Charge,LED,PC Power 3 3 3 1. Gate 2
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