Справочник MOSFET. SWP12N65D

 

SWP12N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP12N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 157 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для SWP12N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP12N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1141K  samwin
 swf12n65d swu12n65d swp12n65d swb12n65d.pdf pdf_icon

SWP12N65D

SW12N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220F TO-262 TO-220 TO-263 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 12A Low RDS(ON) (Typ 0.7)@VGS=10V RDS(ON) : 0.7 Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 3 Application:Charger,LED,PC Power 3 3 3 1. Gate 2.

 ..2. Size:1147K  samwin
 sw12n65d swf12n65d swu12n65d swp12n65d swb12n65d.pdf pdf_icon

SWP12N65D

SW12N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-262 TO-220F TO-220 TO-263 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 12A Low RDS(ON) (Typ 0.7)@VGS=10V RDS(ON) : 0.7 Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 3 Application:Charge,LED,PC Power 3 3 3 1. Gate 2

Другие MOSFET... SWI088R06VT , SWD088R06VT , SWHA088R06VT , SWU10N70D , SWF10N70K , SWD10N70K , SWF12N65D , SWU12N65D , IRF830 , SWB12N65D , SWF12N70D , SWU12N70D , SWMN12N70D , SWY12N70D , SWF15N65D , SWI15P02 , SWD15P02 .

History: AS2328 | FS10KM-2

 

 
Back to Top

 


 
.