SWI15P02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWI15P02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Encapsulados: TO-251
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SWI15P02 datasheet
swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf
SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m )@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m )@VGS=-10V RDS(ON) 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1
sw15p02 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf
SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m )@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m )@VGS=-10V RDS(ON) 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1
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