Справочник MOSFET. SWI15P02

 

SWI15P02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI15P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SWI15P02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI15P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:997K  samwin
 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf pdf_icon

SWI15P02

SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID : -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m)@VGS=-10V RDS(ON) : 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1

 ..2. Size:997K  samwin
 sw15p02 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf pdf_icon

SWI15P02

SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID : -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m)@VGS=-10V RDS(ON) : 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1

Другие MOSFET... SWU12N65D , SWP12N65D , SWB12N65D , SWF12N70D , SWU12N70D , SWMN12N70D , SWY12N70D , SWF15N65D , NCEP15T14 , SWD15P02 , SWH15P02 , SWHA15P02 , SWK15P03 , SWH15P03 , SWF16N65D , SWP16N65K , SWF16N65K .

History: HYG045N03LA1C1 | WMK28N60C4 | ME4485 | WMM14N60C4 | KNB3508A | IRFH7914TRPBF

 

 
Back to Top

 


 
.