Справочник MOSFET. SWI15P02

 

SWI15P02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI15P02
   Маркировка: SW15P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 91 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI15P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:997K  samwin
 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf pdf_icon

SWI15P02

SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID : -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m)@VGS=-10V RDS(ON) : 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1

 ..2. Size:997K  samwin
 sw15p02 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf pdf_icon

SWI15P02

SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID : -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m)@VGS=-10V RDS(ON) : 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.