SWI15P02 - описание и поиск аналогов

 

SWI15P02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI15P02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для SWI15P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI15P02 даташит

 ..1. Size:997K  samwin
 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf pdf_icon

SWI15P02

SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m )@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m )@VGS=-10V RDS(ON) 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1

 ..2. Size:997K  samwin
 sw15p02 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf pdf_icon

SWI15P02

SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m )@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m )@VGS=-10V RDS(ON) 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1

Другие MOSFET... SWU12N65D , SWP12N65D , SWB12N65D , SWF12N70D , SWU12N70D , SWMN12N70D , SWY12N70D , SWF15N65D , IRF1405 , SWD15P02 , SWH15P02 , SWHA15P02 , SWK15P03 , SWH15P03 , SWF16N65D , SWP16N65K , SWF16N65K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.