SWK15P03 Todos los transistores

 

SWK15P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWK15P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 344 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SWK15P03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWK15P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:830K  samwin
 swk15p03 swh15p03.pdf pdf_icon

SWK15P03

SW15P03 P-channel Enhanced mode SOP-8/DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : -30V SOP-8 DFN3*3 High ruggedness ID : -15A D Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=-4.5V D D Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=-10V RDS(ON) : 14m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S 10m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability S S 100% Avalanche Tested D App

 ..2. Size:830K  samwin
 sw15p03 swk15p03 swh15p03.pdf pdf_icon

SWK15P03

SW15P03 P-channel Enhanced mode SOP-8/DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : -30V SOP-8 DFN3*3 High ruggedness ID : -15A D Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=-4.5V D D Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=-10V RDS(ON) : 14m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S 10m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability S S 100% Avalanche Tested D App

 9.1. Size:1004K  samwin
 swk15n04v swha15n04v.pdf pdf_icon

SWK15P03

SW15N04V N-channel Enhanced mode SOP8/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : 40V DFN5*6 SOP8 5 ID : 15A High ruggedness 6 1 8 7 Low RDS(ON) (Typ 6.5m)@VGS=4.5V 2 7 8 RDS(ON) : 6.5m@ VGS=4.5V 6 3 (Typ 5.8m)@VGS=10V 4 3 4 5 5.8m @ VGS=10V Low Gate Charge (Typ 49nC) 2 1 Improved dv/dt Capability D 100% Avalanche Tested

 9.2. Size:887K  samwin
 swk15n06v.pdf pdf_icon

SWK15P03

SW15N06V N-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features BVDSS : 60V SOP-8 D High ruggedness D ID : 15A D Low RDS(ON) (Typ 8.5m)@VGS=4.5V D RDS(ON) : 8.5m@VGS=4.5V (Typ 7.5m)@VGS=10V G Low Gate Charge (Typ 79nC) S 7.5m@VGS=10V S Improved dv/dt Capability S 100% Avalanche Tested G(4) D(5,6,7,8) D Application:DC

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SWU12N70D , SWMN12N70D , SWY12N70D , SWF15N65D , SWI15P02 , SWD15P02 , SWH15P02 , SWHA15P02 , IRF1405 , SWH15P03 , SWF16N65D , SWP16N65K , SWF16N65K , SWB16N65K , SWF18N50D , SWT18N50D , SWF18N65D .

 

 
Back to Top

 


 
.