Справочник MOSFET. SWK15P03

 

SWK15P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWK15P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 344 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для SWK15P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK15P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:830K  samwin
swk15p03 swh15p03.pdfpdf_icon

SWK15P03

SW15P03 P-channel Enhanced mode SOP-8/DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : -30V SOP-8 DFN3*3 High ruggedness ID : -15A D Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=-4.5V D D Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=-10V RDS(ON) : 14m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S 10m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability S S 100% Avalanche Tested D App

 ..2. Size:830K  samwin
sw15p03 swk15p03 swh15p03.pdfpdf_icon

SWK15P03

SW15P03 P-channel Enhanced mode SOP-8/DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : -30V SOP-8 DFN3*3 High ruggedness ID : -15A D Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=-4.5V D D Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=-10V RDS(ON) : 14m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S 10m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability S S 100% Avalanche Tested D App

 9.1. Size:1004K  samwin
swk15n04v swha15n04v.pdfpdf_icon

SWK15P03

SW15N04V N-channel Enhanced mode SOP8/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : 40V DFN5*6 SOP8 5 ID : 15A High ruggedness 6 1 8 7 Low RDS(ON) (Typ 6.5m)@VGS=4.5V 2 7 8 RDS(ON) : 6.5m@ VGS=4.5V 6 3 (Typ 5.8m)@VGS=10V 4 3 4 5 5.8m @ VGS=10V Low Gate Charge (Typ 49nC) 2 1 Improved dv/dt Capability D 100% Avalanche Tested

 9.2. Size:887K  samwin
swk15n06v.pdfpdf_icon

SWK15P03

SW15N06V N-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features BVDSS : 60V SOP-8 D High ruggedness D ID : 15A D Low RDS(ON) (Typ 8.5m)@VGS=4.5V D RDS(ON) : 8.5m@VGS=4.5V (Typ 7.5m)@VGS=10V G Low Gate Charge (Typ 79nC) S 7.5m@VGS=10V S Improved dv/dt Capability S 100% Avalanche Tested G(4) D(5,6,7,8) D Application:DC

Другие MOSFET... SWU12N70D , SWMN12N70D , SWY12N70D , SWF15N65D , SWI15P02 , SWD15P02 , SWH15P02 , SWHA15P02 , IRF1405 , SWH15P03 , SWF16N65D , SWP16N65K , SWF16N65K , SWB16N65K , SWF18N50D , SWT18N50D , SWF18N65D .

History: CEP6030L | B2N65

 

 
Back to Top

 


 
.