SWP16N65K Todos los transistores

 

SWP16N65K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWP16N65K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 271.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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SWP16N65K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1213K  samwin
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SWP16N65K

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS : 650V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V RDS(ON) :0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

 ..2. Size:1143K  samwin
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SWP16N65K

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS : 650V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V RDS(ON) :0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charger, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

 9.1. Size:632K  samwin
 swp160r12vt.pdf pdf_icon

SWP16N65K

SW160R12VT N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features TO-220 BVDSS : 120V High ruggedness ID : 50A Low RDS(ON) (Typ 16.4m)@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 14.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 16.4m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 64nC) 14.6m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 Application:Synchronous Rectifi

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History: WMO75N04T1 | FA57SA50LCP | BSC094N06LS5 | SM2202NSQG | AOCA24106E | SM9990DSQG | SM4404BPRL

 

 
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