SWP16N65K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWP16N65K
   Código: SW16N65K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 271.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWP16N65K

SWP16N65K Datasheet (PDF)

..1. Size:1213K samwin
sw16n65k swp16n65k swf16n65k swb16n65k.pdf

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS : 650V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V RDS(ON) :0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

..2. Size:1143K samwin
swp16n65k swf16n65k swb16n65k.pdf

9.1. Size:632K samwin
swp160r12vt.pdf

SW160R12VT N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features TO-220 BVDSS : 120V High ruggedness ID : 50A Low RDS(ON) (Typ 16.4m)@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 14.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 16.4m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 64nC) 14.6m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 Application:Synchronous Rectifi

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

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