SWP16N65K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWP16N65K
Маркировка: SW16N65K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 271.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 43 nC
Время нарастания (tr): 48 ns
Выходная емкость (Cd): 62 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO-220
SWP16N65K Datasheet (PDF)
sw16n65k swp16n65k swf16n65k swb16n65k.pdf
SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS : 650V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V RDS(ON) :0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source
swp16n65k swf16n65k swb16n65k.pdf
SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS : 650V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V RDS(ON) :0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charger, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source
swp160r12vt.pdf
SW160R12VT N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features TO-220 BVDSS : 120V High ruggedness ID : 50A Low RDS(ON) (Typ 16.4m)@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 14.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 16.4m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 64nC) 14.6m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 Application:Synchronous Rectifi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
