SWJ8N65DB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWJ8N65DB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 181 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-262

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SWJ8N65DB datasheet

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SWJ8N65DB

SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0 )@VGS=10V RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application LED, Charge, PC Power 3 3 3 3 1

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SWJ8N65DB

SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0 )@VGS=10V RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application LED, Charger, PC Power 3 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain

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SWJ8N65DB

SW8N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET Features TO-220F TO-262N BVDSS 700V High ruggedness ID 8A Low RDS(ON) (Typ 1.0m )@VGS=10 RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectification, Inverter

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SWJ8N65DB

SW8N90KU N-channel Enhanced mode TO-262N MOSFET TO-262N BVDSS 900V Features ID 8A High ruggedness RDS(ON) 0.97 Low RDS(ON) (Typ 0.97 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application UPS, LED, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET

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