SWJ8N65DB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWJ8N65DB
   Código: SW8N65DB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 181 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 34 nC
   Tiempo de subida (tr): 34 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 126 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWJ8N65DB

SWJ8N65DB Datasheet (PDF)

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sw8n65db swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdf

SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS : 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 3 1

..2. Size:1066K samwin
swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdf

SW8N65DBN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFETFeatures BVDSS : 650VTO-251 TO-252TO-220F TO-262NID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC)2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 11 12 22 2 Application:LED, Charger, PC Power3 33 311. Gate 2. Drain

9.1. Size:710K samwin
sw8n70d swf8n70d swj8n70d.pdf

SW8N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET Features TO-220F TO-262N BVDSS : 700V High ruggedness ID : 8A Low RDS(ON) (Typ 1.0m)@VGS=10 RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectification, Inverter

9.2. Size:614K samwin
swj8n90ku.pdf

SW8N90KU N-channel Enhanced mode TO-262N MOSFET TO-262N BVDSS : 900V Features ID : 8A High ruggedness RDS(ON) : 0.97 Low RDS(ON) (Typ 0.97)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS, LED, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET

9.3. Size:775K samwin
swf8n70d swj8n70d.pdf