Справочник MOSFET. SWJ8N65DB

 

SWJ8N65DB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWJ8N65DB
   Маркировка: SW8N65DB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для SWJ8N65DB

 

 

SWJ8N65DB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1132K  samwin
 sw8n65db swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdf

SWJ8N65DB SWJ8N65DB

SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS : 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 3 1

 ..2. Size:1066K  samwin
 swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdf

SWJ8N65DB SWJ8N65DB

SW8N65DBN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFETFeatures BVDSS : 650VTO-251 TO-252TO-220F TO-262NID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC)2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 11 12 22 2 Application:LED, Charger, PC Power3 33 311. Gate 2. Drain

 9.1. Size:710K  samwin
 sw8n70d swf8n70d swj8n70d.pdf

SWJ8N65DB SWJ8N65DB

SW8N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET Features TO-220F TO-262N BVDSS : 700V High ruggedness ID : 8A Low RDS(ON) (Typ 1.0m)@VGS=10 RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectification, Inverter

 9.2. Size:614K  samwin
 swj8n90ku.pdf

SWJ8N65DB SWJ8N65DB

SW8N90KU N-channel Enhanced mode TO-262N MOSFET TO-262N BVDSS : 900V Features ID : 8A High ruggedness RDS(ON) : 0.97 Low RDS(ON) (Typ 0.97)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS, LED, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET

 9.3. Size:775K  samwin
 swf8n70d swj8n70d.pdf

SWJ8N65DB SWJ8N65DB

SW8N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET Features TO-220F TO-262N BVDSS : 700V High ruggedness ID : 8A Low RDS(ON) (Typ 1.0m)@VGS=10 RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectification, Inverter

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top