SSI60R260S2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSI60R260S2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: TO262

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SSI60R260S2 datasheet

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SSI60R260S2

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET Gen- SS*60R260S2 Rev. 1.0 Jun. 2019 www.supersemi.com.cn SSF60R260S2/SSP60R260S2/SSI60R260S2 600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizin

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SSI60R260S2

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET Gen- SS*60R190S2E Rev. 1.0 Aug. 2022 www.supersemi.com.cn SSI60R190S2E 600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an advanced charge b

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