SSI60R260S2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSI60R260S2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для SSI60R260S2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSI60R260S2 даташит

 ..1. Size:1011K  cn super semi
 ssf60r260s2 ssp60r260s2 ssi60r260s2.pdf pdf_icon

SSI60R260S2

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET Gen- SS*60R260S2 Rev. 1.0 Jun. 2019 www.supersemi.com.cn SSF60R260S2/SSP60R260S2/SSI60R260S2 600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizin

 8.1. Size:624K  cn super semi
 ssi60r190s2e.pdf pdf_icon

SSI60R260S2

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET Gen- SS*60R190S2E Rev. 1.0 Aug. 2022 www.supersemi.com.cn SSI60R190S2E 600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an advanced charge b

Другие IGBT... SSF60R190S2, SSP60R190S2, SSW60R190S2, SSF60R190SFD, SSP60R190SFD, SSW60R190SFD, SSF60R260S2, SSP60R260S2, IRF2807, SSF65R099SFD, SSW65R099SFD, SSF65R120S2, SSP65R120S2, SSW65R120S2, SSF65R190S2, SSP65R190S2, SSW65R190S2