SSU80R1K3S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSU80R1K3S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm

Encapsulados: TO251

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SSU80R1K3S datasheet

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SSU80R1K3S

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 800V Super Junction Power MOSFET SS*80R1K3S Rev. 2.1 Jun. 2022 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSF80R1K3S/SSP80R1K3S/SST80R1K3S/SSU80R1K3S 800V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizi

 8.1. Size:1290K  cn super semi
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SSU80R1K3S

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