Справочник MOSFET. SSU80R1K3S

 

SSU80R1K3S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSU80R1K3S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для SSU80R1K3S

 

 

SSU80R1K3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1352K  cn super semi
 ssf80r1k3s ssp80r1k3s sst80r1k3s ssu80r1k3s.pdf

SSU80R1K3S SSU80R1K3S

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor800V Super Junction Power MOSFETSS*80R1K3SRev. 2.1Jun. 2022www.supersemi.com.cnSeptember, 2013SJ-FETSSF80R1K3S/SSP80R1K3S/SST80R1K3S/SSU80R1K3S800V N-Channel MOSFETDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizi

 8.1. Size:1290K  cn super semi
 ssf80r850s ssp80r850s sst80r850s ssu80r850s.pdf

SSU80R1K3S SSU80R1K3S

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor800V Super Junction Power MOSFETSS*80R850SRev. 2.1Jun. 2022www.supersemi.com.cnSeptember, 2013SJ-FETSSF80R850S/SSP80R850S/SST80R850S/SSU80R850S 800V N-Channel MOSFETDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utiliz

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top