SSU80R1K3S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSU80R1K3S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SSU80R1K3S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU80R1K3S даташит

 ..1. Size:1352K  cn super semi
 ssf80r1k3s ssp80r1k3s sst80r1k3s ssu80r1k3s.pdf pdf_icon

SSU80R1K3S

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 800V Super Junction Power MOSFET SS*80R1K3S Rev. 2.1 Jun. 2022 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSF80R1K3S/SSP80R1K3S/SST80R1K3S/SSU80R1K3S 800V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizi

 8.1. Size:1290K  cn super semi
 ssf80r850s ssp80r850s sst80r850s ssu80r850s.pdf pdf_icon

SSU80R1K3S

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 800V Super Junction Power MOSFET SS*80R850S Rev. 2.1 Jun. 2022 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSF80R850S/SSP80R850S/SST80R850S/SSU80R850S 800V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utiliz

Другие IGBT... SSP70R650S2, SST70R650S2, SSF70R750S, SST70R750S, SSU70R750S, SSF80R1K3S, SSP80R1K3S, SST80R1K3S, 20N60, SSF80R240S, SSP80R240S, SSB80R240S, SSF80R380S, SSP80R380S, SSW80R380S, SSA80R380S, SSF80R500S