SSP1991 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSP1991

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 223 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO220

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SSP1991 datasheet

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SSP1991

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET 100V Power MOSFET SSP1991 Rev. 1.0 Jun. 2019 www.supersemi.com.cn SSP1991 100V Single N-Channel Trench MOSFET Description Features The SSP1991 MOSFET uses advanced trench MOSFET technology, VDS 100V ID (at Vgs=10V) 120A that is uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(on) (at Vgs=10V)

Otros transistores... SSF80R500S, SSP80R500S, SSB80R500S, SST80R500S, SSF80R850S, SSP80R850S, SST80R850S, SSU80R850S, AON6414A, SSP70R450S2, SST70R450S2, SST60R280S2, SST65R280S2, SSW20N60S, SSA20N60S, SSW47N60S, SSA47N60S