Справочник MOSFET. SSP1991

 

SSP1991 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSP1991
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SSP1991

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSP1991 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  cn super semi
 ssp1991.pdf pdf_icon

SSP1991

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET 100V Power MOSFET SSP1991 Rev. 1.0 Jun. 2019 www.supersemi.com.cn SSP1991 100V Single N-Channel Trench MOSFET Description Features The SSP1991 MOSFET uses advanced trench MOSFET technology, VDS 100V ID (at Vgs=10V) 120A that is uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(on) (at Vgs=10V)

Другие MOSFET... SSF80R500S , SSP80R500S , SSB80R500S , SST80R500S , SSF80R850S , SSP80R850S , SST80R850S , SSU80R850S , IRFB4110 , SSP70R450S2 , SST70R450S2 , SST60R280S2 , SST65R280S2 , SSW20N60S , SSA20N60S , SSW47N60S , SSA47N60S .

History: STI12NM50N | IRL3705ZSPBF | SISA66DN | SSH7N60A | SI2343DS | SJMN099R65SW | SSP80R380S2

 

 
Back to Top

 


 
.