SSP1991. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSP1991

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SSP1991

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSP1991 даташит

 ..1. Size:813K  cn super semi
 ssp1991.pdf pdf_icon

SSP1991

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET 100V Power MOSFET SSP1991 Rev. 1.0 Jun. 2019 www.supersemi.com.cn SSP1991 100V Single N-Channel Trench MOSFET Description Features The SSP1991 MOSFET uses advanced trench MOSFET technology, VDS 100V ID (at Vgs=10V) 120A that is uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(on) (at Vgs=10V)

Другие IGBT... SSF80R500S, SSP80R500S, SSB80R500S, SST80R500S, SSF80R850S, SSP80R850S, SST80R850S, SSU80R850S, AON6414A, SSP70R450S2, SST70R450S2, SST60R280S2, SST65R280S2, SSW20N60S, SSA20N60S, SSW47N60S, SSA47N60S