SSP1991 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSP1991
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 223 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Время нарастания (tr): 28.8 ns
Выходная емкость (Cd): 1300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO220
SSP1991 Datasheet (PDF)
..1. Size:813K cn super semi
ssp1991.pdf
ssp1991.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET 100V Power MOSFET SSP1991 Rev. 1.0 Jun. 2019 www.supersemi.com.cn SSP1991 100V Single N-Channel Trench MOSFET Description Features The SSP1991 MOSFET uses advanced trench MOSFET technology, VDS 100V ID (at Vgs=10V) 120A that is uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(on) (at Vgs=10V)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
