SSW20N60S Todos los transistores

 

SSW20N60S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSW20N60S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SSW20N60S datasheet

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SSW20N60S

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power Transistor SS*20N60S Rev. 1.2 May. 2018 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSW20N60S/SSA20N60S 600V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing

Otros transistores... SSP80R850S , SST80R850S , SSU80R850S , SSP1991 , SSP70R450S2 , SST70R450S2 , SST60R280S2 , SST65R280S2 , 7N65 , SSA20N60S , SSW47N60S , SSA47N60S , SSW47N60SFD , SSA47N60SFD , SSW50R100S , SSA50R100S , SSW50R100SFD .

 

 
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