SSW20N60S Todos los transistores

 

SSW20N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSW20N60S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 151 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 30 nC

Tiempo de elevación (tr): 11 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.19 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

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SSW20N60S Datasheet (PDF)

0.1. ssw20n60s ssa20n60s.pdf Size:1291K _cn_super_semi

SSW20N60S
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SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power Transistor SS*20N60S Rev. 1.2 May. 2018 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSW20N60S/SSA20N60S 600V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing

Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
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