SSW20N60S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSW20N60S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO247

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SSW20N60S datasheet

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SSW20N60S

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power Transistor SS*20N60S Rev. 1.2 May. 2018 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSW20N60S/SSA20N60S 600V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing

Otros transistores... SSP80R850S, SST80R850S, SSU80R850S, SSP1991, SSP70R450S2, SST70R450S2, SST60R280S2, SST65R280S2, 7N65, SSA20N60S, SSW47N60S, SSA47N60S, SSW47N60SFD, SSA47N60SFD, SSW50R100S, SSA50R100S, SSW50R100SFD