SSW20N60S - аналоги и даташиты транзистора

 

SSW20N60S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSW20N60S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SSW20N60S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW20N60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1218K  cn super semi
 ssw20n60s ssa20n60s.pdf pdf_icon

SSW20N60S

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power Transistor SS*20N60S Rev. 1.2 May. 2018 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSW20N60S/SSA20N60S 600V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing

Другие MOSFET... SSP80R850S , SST80R850S , SSU80R850S , SSP1991 , SSP70R450S2 , SST70R450S2 , SST60R280S2 , SST65R280S2 , AON7408 , SSA20N60S , SSW47N60S , SSA47N60S , SSW47N60SFD , SSA47N60SFD , SSW50R100S , SSA50R100S , SSW50R100SFD .

 

 
Back to Top

 


 
.