Справочник MOSFET. SSW20N60S

 

SSW20N60S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SSW20N60S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 151 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 30 nC

Время нарастания (tr): 11 ns

Выходная емкость (Cd): 370 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SSW20N60S

 

 

SSW20N60S Datasheet (PDF)

0.1. ssw20n60s ssa20n60s.pdf Size:1291K _cn_super_semi

SSW20N60S
SSW20N60S

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power Transistor SS*20N60S Rev. 1.2 May. 2018 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSW20N60S/SSA20N60S 600V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top