YPN438S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YPN438S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de YPN438S MOSFET
YPN438S Datasheet (PDF)
ypn438s.pdf

Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd.YPN 438S40V 10A N&P-Channel Power MOSFET (2 IN 1)General FeaturesProprietary New Trench TechnologyUltra-low Miller ChargeN MOS RDS(ON),typ.=18m@V =10VGSP MOS RDS(ON),typ.=30m@V =10VGSLow Gate Charge Minimize Switching LossFast Recovery Body Diode
Otros transistores... SSA47N60SFD , SSW50R100S , SSA50R100S , SSW50R100SFD , SSA50R100SFD , SSW80R240S , SSA80R240S , Y2N655S , 8205A , ASM6115 , MMFTP3401 , GDSSF2300 , TSM10NC60CF , TSM150P04LCS , TSM2301A , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH .
History: STB34N65M5 | HUF76013D3S | HM3710 | IPB049NE7N3 | WMR14N03TB | R6530KNZ1
History: STB34N65M5 | HUF76013D3S | HM3710 | IPB049NE7N3 | WMR14N03TB | R6530KNZ1



Liste
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