YPN438S Todos los transistores

 

YPN438S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YPN438S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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YPN438S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1116K  cn silicon billion
 ypn438s.pdf pdf_icon

YPN438S

Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd.YPN 438S40V 10A N&P-Channel Power MOSFET (2 IN 1)General FeaturesProprietary New Trench TechnologyUltra-low Miller ChargeN MOS RDS(ON),typ.=18m@V =10VGSP MOS RDS(ON),typ.=30m@V =10VGSLow Gate Charge Minimize Switching LossFast Recovery Body Diode

Otros transistores... SSA47N60SFD , SSW50R100S , SSA50R100S , SSW50R100SFD , SSA50R100SFD , SSW80R240S , SSA80R240S , Y2N655S , 8205A , ASM6115 , MMFTP3401 , GDSSF2300 , TSM10NC60CF , TSM150P04LCS , TSM2301A , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH .

History: SSG4953P | FDB024N08BL7 | R6530KNZ1

 

 
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