YPN438S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YPN438S
Código: 438
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 40 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 14 nC
Tiempo de elevación (tr): 2.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.018 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOP8
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YPN438S Datasheet (PDF)
0.1. ypn438s.pdf 
Size:1116K _cn_silicon_billion
Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd.YPN 438S40V 10A N&P-Channel Power MOSFET (2 IN 1)General FeaturesProprietary New Trench TechnologyUltra-low Miller ChargeN MOS RDS(ON),typ.=18m@V =10VGSP MOS RDS(ON),typ.=30m@V =10VGSLow Gate Charge Minimize Switching LossFast Recovery Body Diode
Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .
