Справочник MOSFET. YPN438S

 

YPN438S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YPN438S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для YPN438S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YPN438S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1116K  cn silicon billion
 ypn438s.pdf pdf_icon

YPN438S

Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd.YPN 438S40V 10A N&P-Channel Power MOSFET (2 IN 1)General FeaturesProprietary New Trench TechnologyUltra-low Miller ChargeN MOS RDS(ON),typ.=18m@V =10VGSP MOS RDS(ON),typ.=30m@V =10VGSLow Gate Charge Minimize Switching LossFast Recovery Body Diode

Другие MOSFET... SSA47N60SFD , SSW50R100S , SSA50R100S , SSW50R100SFD , SSA50R100SFD , SSW80R240S , SSA80R240S , Y2N655S , 8205A , ASM6115 , MMFTP3401 , GDSSF2300 , TSM10NC60CF , TSM150P04LCS , TSM2301A , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH .

History: NTD4960N

 

 
Back to Top

 


 
.