ASM6115 Todos los transistores

 

ASM6115 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ASM6115

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 52.1 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 25 nC

Tiempo de elevación (tr): 23.6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 224 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.025 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ASM6115

 

ASM6115 Datasheet (PDF)

0.1. asm6115.pdf Size:1367K _sine_micro

ASM6115
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ASM6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Super Low Gate Charge Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench -60V 25m -35A technology TO252 Pin Configuration Description The ASM6115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent

Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
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