ASM6115 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ASM6115
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de ASM6115 MOSFET
ASM6115 Datasheet (PDF)
asm6115.pdf

ASM6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Super Low Gate Charge Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench -60V 25m -35A technology TO252 Pin Configuration Description The ASM6115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent
Otros transistores... SSW50R100S , SSA50R100S , SSW50R100SFD , SSA50R100SFD , SSW80R240S , SSA80R240S , Y2N655S , YPN438S , 2SK3568 , MMFTP3401 , GDSSF2300 , TSM10NC60CF , TSM150P04LCS , TSM2301A , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , TSM650P03CX .
History: IRFB23N20D | SI7405BDN | IRFAC32 | MTB20N04J3 | MTD5P06VT4G | SI7107DN | IRFB42N20DPBF
History: IRFB23N20D | SI7405BDN | IRFAC32 | MTB20N04J3 | MTD5P06VT4G | SI7107DN | IRFB42N20DPBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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