Справочник MOSFET. ASM6115

 

ASM6115 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: ASM6115

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 25 nC

Время нарастания (tr): 23.6 ns

Выходная емкость (Cd): 224 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ASM6115

 

 

ASM6115 Datasheet (PDF)

0.1. asm6115.pdf Size:1367K _sine_micro

ASM6115
ASM6115

ASM6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Super Low Gate Charge Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench -60V 25m -35A technology TO252 Pin Configuration Description The ASM6115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top