ASM6115. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASM6115

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ASM6115

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASM6115 даташит

 ..1. Size:1367K  sine micro
 asm6115.pdf pdf_icon

ASM6115

ASM6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Super Low Gate Charge Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench -60V 25m -35A technology TO252 Pin Configuration Description The ASM6115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent

Другие IGBT... SSW50R100S, SSA50R100S, SSW50R100SFD, SSA50R100SFD, SSW80R240S, SSA80R240S, Y2N655S, YPN438S, 4435, MMFTP3401, GDSSF2300, TSM10NC60CF, TSM150P04LCS, TSM2301A, TSM240N03CX, TSM60NB1R4CH, TSM650P03CX