ASM6115 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ASM6115
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для ASM6115
ASM6115 Datasheet (PDF)
asm6115.pdf

ASM6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Super Low Gate Charge Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench -60V 25m -35A technology TO252 Pin Configuration Description The ASM6115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent
Другие MOSFET... SSW50R100S , SSA50R100S , SSW50R100SFD , SSA50R100SFD , SSW80R240S , SSA80R240S , Y2N655S , YPN438S , AON7410 , MMFTP3401 , GDSSF2300 , TSM10NC60CF , TSM150P04LCS , TSM2301A , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , TSM650P03CX .
History: KD2310 | IPB240N03S4L-R8 | BUK6E3R4-40C | 2SJ485 | HF5N65 | SST70R1K2S2E | FDU6N50
History: KD2310 | IPB240N03S4L-R8 | BUK6E3R4-40C | 2SJ485 | HF5N65 | SST70R1K2S2E | FDU6N50



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent