GDSSF2300 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GDSSF2300

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SOT23

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GDSSF2300 datasheet

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GDSSF2300

GDSSF2300 D DESCRIPTION The SSF2300 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 2.4A RDS(ON)

Otros transistores... SSW50R100SFD, SSA50R100SFD, SSW80R240S, SSA80R240S, Y2N655S, YPN438S, ASM6115, MMFTP3401, SKD502T, TSM10NC60CF, TSM150P04LCS, TSM2301A, TSM240N03CX, TSM60NB1R4CH, TSM650P03CX, TSM900N06CH, TSM900N06CP