Справочник MOSFET. GDSSF2300

 

GDSSF2300 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GDSSF2300
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GDSSF2300 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  goodark
 gdssf2300.pdf pdf_icon

GDSSF2300

GDSSF2300 DDESCRIPTION The SSF2300 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation Gwith gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 2.4A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 7N65L-TQ2-R | IXFX30N110P | PNMET20V06E | OSG55R074HSZF | 2SK1501 | SVS7N60FJD2 | FDC654P

 

 
Back to Top

 


 
.