GDSSF2300 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GDSSF2300
Маркировка: 2300
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4 nC
Время нарастания (tr): 55 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
Тип корпуса: SOT23
GDSSF2300 Datasheet (PDF)
..1. Size:445K goodark
gdssf2300.pdf
gdssf2300.pdf
GDSSF2300 DDESCRIPTION The SSF2300 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation Gwith gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 2.4A RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
