TSM2301A Todos los transistores

 

TSM2301A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM2301A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

TSM2301A Datasheet (PDF)

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TSM2301A

TSM2301A Taiwan Semiconductor P-Channel Power MOSFET -20V, -2.8A, 130m KEY PERFORMANCE PARAMETERS Features PARAMETER VALUE UNIT Advance Trench Process Technology VDS -20 V High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance VGS = -4.5V 130 RDS(on) (max) m VGS = -2.5V 190 Application Qg 7.2 nC Telecom power Consumer Electronics SOT-23

 0.1. Size:340K  taiwansemi
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TSM2301A

TSM2301 20V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition: VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 1. Gate 130 @ VGS = -4.5V -2.8 2. Source -20 3. Drain 190 @ VGS = -2.5V -2.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-Channel MOSFET Orderi

 7.1. Size:119K  taiwansemi
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TSM2301A

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TSM2301A

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History: RFL1N10L | STP55N06L | BUZ358 | STP33N65M2 | AUIRF2804

 

 
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