Справочник MOSFET. TSM2301A

 

TSM2301A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM2301A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для TSM2301A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM2301A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  taiwansemi
 tsm2301a.pdf pdf_icon

TSM2301A

TSM2301A Taiwan Semiconductor P-Channel Power MOSFET -20V, -2.8A, 130m KEY PERFORMANCE PARAMETERS Features PARAMETER VALUE UNIT Advance Trench Process Technology VDS -20 V High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance VGS = -4.5V 130 RDS(on) (max) m VGS = -2.5V 190 Application Qg 7.2 nC Telecom power Consumer Electronics SOT-23

 0.1. Size:340K  taiwansemi
 tsm2301acx tsm2301cx.pdf pdf_icon

TSM2301A

TSM2301 20V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition: VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 1. Gate 130 @ VGS = -4.5V -2.8 2. Source -20 3. Drain 190 @ VGS = -2.5V -2.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-Channel MOSFET Orderi

 7.1. Size:119K  taiwansemi
 tsm2301bcx.pdf pdf_icon

TSM2301A

 7.2. Size:118K  taiwansemi
 tsm2301.pdf pdf_icon

TSM2301A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSA80R240S , Y2N655S , YPN438S , ASM6115 , MMFTP3401 , GDSSF2300 , TSM10NC60CF , TSM150P04LCS , RFP50N06 , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , TSM650P03CX , TSM900N06CH , TSM900N06CP , TSM900N06CW , CI28N120SM , CI30N120SM .

History: P1308ATG | TK12A60W | 2SK962-01 | CPC3714C | IPP80CN10N | WMP06N80M3 | HA20N50

 

 
Back to Top

 


 
.