TSM650P03CX Todos los transistores

 

TSM650P03CX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM650P03CX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de TSM650P03CX MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TSM650P03CX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  taiwansemi
 tsm650p03cx.pdf pdf_icon

TSM650P03CX

TSM650P03CX 30V P-Channel Power MOSFET SOT-23 Key Parameter Performance Pin Definition: 1. Gate Parameter Value Unit 2. Source 3. Drain VDS -30 V VGS =- 10V 65 Note: VGS = -4.5V RDS(on) (max) 75 m MSL 1 (Moisture Sensitivity Level) per J-STD-020 VGS = -2.5V 100 Qg 8 nC Block Diagram Features Fast Switching Suited for -2.5V Gate Drive Ap

Otros transistores... ASM6115 , MMFTP3401 , GDSSF2300 , TSM10NC60CF , TSM150P04LCS , TSM2301A , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , IRF530 , TSM900N06CH , TSM900N06CP , TSM900N06CW , CI28N120SM , CI30N120SM , CI47N65 , CI60N120SM , CI72N65 .

History: BUK455-60B | IRLML0100TRPBF | WMM80R1K0S | FDU6N25 | CSN64N12 | SFP350N100C2 | SPN3414S23RGB

 

 
Back to Top

 


 
.