TSM650P03CX Todos los transistores

 

TSM650P03CX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSM650P03CX

Código: 63*

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.56 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 12 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 4.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 0.9 V

Carga de compuerta (Qg): 8 nC

Tiempo de elevación (tr): 19.4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.065 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23

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TSM650P03CX Datasheet (PDF)

0.1. tsm650p03cx.pdf Size:422K _taiwansemi

TSM650P03CX
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TSM650P03CX 30V P-Channel Power MOSFET SOT-23 Key Parameter Performance Pin Definition: 1. Gate Parameter Value Unit 2. Source 3. Drain VDS -30 V VGS =- 10V 65 Note: VGS = -4.5V RDS(on) (max) 75 m MSL 1 (Moisture Sensitivity Level) per J-STD-020 VGS = -2.5V 100 Qg 8 nC Block Diagram Features Fast Switching Suited for -2.5V Gate Drive Ap

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