TSM650P03CX Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSM650P03CX  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SOT23

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TSM650P03CX datasheet

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TSM650P03CX

TSM650P03CX 30V P-Channel Power MOSFET SOT-23 Key Parameter Performance Pin Definition 1. Gate Parameter Value Unit 2. Source 3. Drain VDS -30 V VGS =- 10V 65 Note VGS = -4.5V RDS(on) (max) 75 m MSL 1 (Moisture Sensitivity Level) per J-STD-020 VGS = -2.5V 100 Qg 8 nC Block Diagram Features Fast Switching Suited for -2.5V Gate Drive Ap

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