TSM650P03CX Todos los transistores

 

TSM650P03CX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM650P03CX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

TSM650P03CX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  taiwansemi
 tsm650p03cx.pdf pdf_icon

TSM650P03CX

TSM650P03CX 30V P-Channel Power MOSFET SOT-23 Key Parameter Performance Pin Definition: 1. Gate Parameter Value Unit 2. Source 3. Drain VDS -30 V VGS =- 10V 65 Note: VGS = -4.5V RDS(on) (max) 75 m MSL 1 (Moisture Sensitivity Level) per J-STD-020 VGS = -2.5V 100 Qg 8 nC Block Diagram Features Fast Switching Suited for -2.5V Gate Drive Ap

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BRCS100N06BD | FDD6530A | IRFB3407Z | SVF10N60STR | 2SJ615 | NCEP60T20 | STD2NK90ZT4

 

 
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