TSM650P03CX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM650P03CX
Código: 63*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1.56 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 0.9 V
Carga de compuerta (Qg): 8 nC
Tiempo de elevación (tr): 19.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.065 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT23
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TSM650P03CX Datasheet (PDF)
0.1. tsm650p03cx.pdf 
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TSM650P03CX 30V P-Channel Power MOSFET SOT-23 Key Parameter Performance Pin Definition: 1. Gate Parameter Value Unit 2. Source 3. Drain VDS -30 V VGS =- 10V 65 Note: VGS = -4.5V RDS(on) (max) 75 m MSL 1 (Moisture Sensitivity Level) per J-STD-020 VGS = -2.5V 100 Qg 8 nC Block Diagram Features Fast Switching Suited for -2.5V Gate Drive Ap
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