Справочник MOSFET. TSM650P03CX

 

TSM650P03CX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM650P03CX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для TSM650P03CX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM650P03CX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  taiwansemi
 tsm650p03cx.pdf pdf_icon

TSM650P03CX

TSM650P03CX 30V P-Channel Power MOSFET SOT-23 Key Parameter Performance Pin Definition: 1. Gate Parameter Value Unit 2. Source 3. Drain VDS -30 V VGS =- 10V 65 Note: VGS = -4.5V RDS(on) (max) 75 m MSL 1 (Moisture Sensitivity Level) per J-STD-020 VGS = -2.5V 100 Qg 8 nC Block Diagram Features Fast Switching Suited for -2.5V Gate Drive Ap

Другие MOSFET... ASM6115 , MMFTP3401 , GDSSF2300 , TSM10NC60CF , TSM150P04LCS , TSM2301A , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , IRF530 , TSM900N06CH , TSM900N06CP , TSM900N06CW , CI28N120SM , CI30N120SM , CI47N65 , CI60N120SM , CI72N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.