TSM650P03CX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TSM650P03CX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TSM650P03CX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM650P03CX даташит

 ..1. Size:422K  taiwansemi
 tsm650p03cx.pdf pdf_icon

TSM650P03CX

TSM650P03CX 30V P-Channel Power MOSFET SOT-23 Key Parameter Performance Pin Definition 1. Gate Parameter Value Unit 2. Source 3. Drain VDS -30 V VGS =- 10V 65 Note VGS = -4.5V RDS(on) (max) 75 m MSL 1 (Moisture Sensitivity Level) per J-STD-020 VGS = -2.5V 100 Qg 8 nC Block Diagram Features Fast Switching Suited for -2.5V Gate Drive Ap

Другие IGBT... ASM6115, MMFTP3401, GDSSF2300, TSM10NC60CF, TSM150P04LCS, TSM2301A, TSM240N03CX, TSM60NB1R4CH, IRFB3607, TSM900N06CH, TSM900N06CP, TSM900N06CW, CI28N120SM, CI30N120SM, CI47N65, CI60N120SM, CI72N65