Справочник MOSFET. TSM650P03CX

 

TSM650P03CX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: TSM650P03CX

Маркировка: 63*

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.56 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.9 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 8 nC

Время нарастания (tr): 19.4 ns

Выходная емкость (Cd): 85 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для TSM650P03CX

 

 

TSM650P03CX Datasheet (PDF)

0.1. tsm650p03cx.pdf Size:422K _taiwansemi

TSM650P03CX
TSM650P03CX

TSM650P03CX 30V P-Channel Power MOSFET SOT-23 Key Parameter Performance Pin Definition: 1. Gate Parameter Value Unit 2. Source 3. Drain VDS -30 V VGS =- 10V 65 Note: VGS = -4.5V RDS(on) (max) 75 m MSL 1 (Moisture Sensitivity Level) per J-STD-020 VGS = -2.5V 100 Qg 8 nC Block Diagram Features Fast Switching Suited for -2.5V Gate Drive Ap

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top