TSM900N06CH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM900N06CH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 25 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 9.3 nC
Tiempo de elevación (tr): 9.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.09 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251S
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TSM900N06CH Datasheet (PDF)
5.1. tsm900n06.pdf 
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TSM900N06 60V N-Channel Power MOSFET TO-251S TO-252 Key Parameter Performance Pin Definition: (IPAK SL) (DPAK) 1. Gate Parameter Value Unit 2. Drain 3. Source VDS 60 V VGS = 10V 90 RDS(on) (max) m VGS = 4.5V 100 Qg 9.3 nC SOT-223 Block Diagram Ordering Information Part No. Package Packing TSM900N06CH X0G TO-251S 75pcs / Tube TSM900N06CP ROG TO-252
Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .
