TSM900N06CH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TSM900N06CH  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO251S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TSM900N06CH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM900N06CH даташит

 5.1. Size:502K  taiwansemi
 tsm900n06.pdf pdf_icon

TSM900N06CH

TSM900N06 60V N-Channel Power MOSFET TO-251S TO-252 Key Parameter Performance Pin Definition (IPAK SL) (DPAK) 1. Gate Parameter Value Unit 2. Drain 3. Source VDS 60 V VGS = 10V 90 RDS(on) (max) m VGS = 4.5V 100 Qg 9.3 nC SOT-223 Block Diagram Ordering Information Part No. Package Packing TSM900N06CH X0G TO-251S 75pcs / Tube TSM900N06CP ROG TO-252

Другие IGBT... MMFTP3401, GDSSF2300, TSM10NC60CF, TSM150P04LCS, TSM2301A, TSM240N03CX, TSM60NB1R4CH, TSM650P03CX, AON7506, TSM900N06CP, TSM900N06CW, CI28N120SM, CI30N120SM, CI47N65, CI60N120SM, CI72N65, CIM3N150