CI28N120SM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CI28N120SM  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: TO247

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CI28N120SM datasheet

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CI28N120SM

N- Channel SiC Power MOSFET CI28N120SM Features High Blocking Voltage with Low On-Resistance Package High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to Drive D (2) Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant G (1) Benefits Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements 1 S (3) Increased Power Density 2 3

Otros transistores... TSM150P04LCS, TSM2301A, TSM240N03CX, TSM60NB1R4CH, TSM650P03CX, TSM900N06CH, TSM900N06CP, TSM900N06CW, 4435, CI30N120SM, CI47N65, CI60N120SM, CI72N65, CIM3N150, CIM6N120-220C, CIM6N120-220F, CIM6N120-247