CI28N120SM Todos los transistores

 

CI28N120SM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CI28N120SM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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CI28N120SM datasheet

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CI28N120SM

N- Channel SiC Power MOSFET CI28N120SM Features High Blocking Voltage with Low On-Resistance Package High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to Drive D (2) Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant G (1) Benefits Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements 1 S (3) Increased Power Density 2 3

Otros transistores... TSM150P04LCS , TSM2301A , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , TSM650P03CX , TSM900N06CH , TSM900N06CP , TSM900N06CW , CS150N03A8 , CI30N120SM , CI47N65 , CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 .

 

 
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