CI28N120SM Todos los transistores

 

CI28N120SM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CI28N120SM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 166 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 1200 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 25 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 28 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 85 nC

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 54 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.125 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CI28N120SM

 

CI28N120SM Datasheet (PDF)

0.1. ci28n120sm.pdf Size:729K _tokmas

CI28N120SM
CI28N120SM

N- Channel SiC Power MOSFETCI28N120SMFeatures High Blocking Voltage with Low On-ResistancePackage High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to DriveD (2) Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantG (1)Benefits Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements1S (3) Increased Power Density 23

Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
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