Справочник MOSFET. CI28N120SM

 

CI28N120SM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CI28N120SM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 166 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 85 nC

Время нарастания (tr): 60 ns

Выходная емкость (Cd): 54 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для CI28N120SM

 

 

CI28N120SM Datasheet (PDF)

0.1. ci28n120sm.pdf Size:729K _tokmas

CI28N120SM
CI28N120SM

N- Channel SiC Power MOSFETCI28N120SMFeatures High Blocking Voltage with Low On-ResistancePackage High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to DriveD (2) Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantG (1)Benefits Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements1S (3) Increased Power Density 23

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top