CI28N120SM - описание и поиск аналогов

 

CI28N120SM - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CI28N120SM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для CI28N120SM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CI28N120SM технические параметры

 ..1. Size:729K  tokmas
 ci28n120sm.pdf pdf_icon

CI28N120SM

N- Channel SiC Power MOSFET CI28N120SM Features High Blocking Voltage with Low On-Resistance Package High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to Drive D (2) Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant G (1) Benefits Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements 1 S (3) Increased Power Density 2 3

Другие MOSFET... TSM150P04LCS , TSM2301A , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , TSM650P03CX , TSM900N06CH , TSM900N06CP , TSM900N06CW , CS150N03A8 , CI30N120SM , CI47N65 , CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 .

History: HFD1N65S | SSF18NS60

 

 
Back to Top

 


 
.