CI28N120SM - описание и поиск аналогов

 

CI28N120SM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CI28N120SM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для CI28N120SM

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CI28N120SM даташит

 ..1. Size:729K  tokmas
 ci28n120sm.pdf pdf_icon

CI28N120SM

N- Channel SiC Power MOSFET CI28N120SM Features High Blocking Voltage with Low On-Resistance Package High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to Drive D (2) Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant G (1) Benefits Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements 1 S (3) Increased Power Density 2 3

Другие MOSFET... TSM150P04LCS , TSM2301A , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , TSM650P03CX , TSM900N06CH , TSM900N06CP , TSM900N06CW , CS150N03A8 , CI30N120SM , CI47N65 , CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.