Справочник MOSFET. CI28N120SM

 

CI28N120SM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CI28N120SM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CI28N120SM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:729K  tokmas
ci28n120sm.pdfpdf_icon

CI28N120SM

N- Channel SiC Power MOSFETCI28N120SMFeatures High Blocking Voltage with Low On-ResistancePackage High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to DriveD (2) Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantG (1)Benefits Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements1S (3) Increased Power Density 23

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ET8205B | SSW1N50A | SVS70R900MJE3 | 9926 | SIRA04DP

 

 
Back to Top

 


 
.