CI47N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CI47N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 391 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 123 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO247 TO3PN

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CI47N65 datasheet

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CI47N65

CI47N65 650V Super -Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant Fast Body Diode APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Absolute Maximum Ratings at Tj= 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage (VGS =

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