Справочник MOSFET. CI47N65

 

CI47N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CI47N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 391 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 47 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 78 nC

Время нарастания (tr): 123 ns

Выходная емкость (Cd): 114 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO247 TO3PN

Аналог (замена) для CI47N65

 

 

CI47N65 Datasheet (PDF)

0.1. ci47n65.pdf Size:797K _tokmas

CI47N65
CI47N65

CI47N65650V Super -Junction Power MOSFETFEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant Fast Body DiodeAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings at Tj= 25C unless otherwise notedParameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage (VGS =

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top