CI47N65 - описание и поиск аналогов

 

CI47N65 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CI47N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 391 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 78 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO247 TO3PN
 

 Аналог (замена) для CI47N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CI47N65 технические параметры

 ..1. Size:797K  tokmas
 ci47n65.pdf pdf_icon

CI47N65

CI47N65 650V Super -Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant Fast Body Diode APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Absolute Maximum Ratings at Tj= 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage (VGS =

Другие MOSFET... TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , TSM650P03CX , TSM900N06CH , TSM900N06CP , TSM900N06CW , CI28N120SM , CI30N120SM , AON7506 , CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 , P7515BDB , PM5G8EA .

History: IPB04N03LAT | 18N65

 

 
Back to Top

 


 
.