Справочник MOSFET. CI47N65

 

CI47N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CI47N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 391 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO247 TO3PN
 

 Аналог (замена) для CI47N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CI47N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:797K  tokmas
 ci47n65.pdf pdf_icon

CI47N65

CI47N65650V Super -Junction Power MOSFETFEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant Fast Body DiodeAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings at Tj= 25C unless otherwise notedParameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage (VGS =

Другие MOSFET... TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , TSM650P03CX , TSM900N06CH , TSM900N06CP , TSM900N06CW , CI28N120SM , CI30N120SM , IRFP250 , CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 , P7515BDB , PM5G8EA .

History: 2SJ492 | 2SK1079 | FXN18N50F | BUZ104 | IPB015N04N6

 

 
Back to Top

 


 
.