CI47N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CI47N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 391 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO247 TO3PN
CI47N65 Datasheet (PDF)
ci47n65.pdf

CI47N65650V Super -Junction Power MOSFETFEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant Fast Body DiodeAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings at Tj= 25C unless otherwise notedParameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage (VGS =
Другие MOSFET... TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , TSM650P03CX , TSM900N06CH , TSM900N06CP , TSM900N06CW , CI28N120SM , CI30N120SM , IRFP250 , CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 , P7515BDB , PM5G8EA .
History: HTD2K1P10
History: HTD2K1P10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor