CI72N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CI72N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 221 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm

Encapsulados: TO247

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CI72N65 datasheet

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CI72N65

SJMOS N-MOSFET CI72N65 Features Product Summary Ultra-fast body diode VDS 650V Very low FOM RDS(on) Qg RDS(on) typ. 44m Easy to use/drive ID 72A Applications 100% DVDS Tested Switch Mode Power Supply (SMPS) 100% Avalanche Tested Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) LLC Half-bridge Charger Key Performance Parame

Otros transistores... TSM650P03CX, TSM900N06CH, TSM900N06CP, TSM900N06CW, CI28N120SM, CI30N120SM, CI47N65, CI60N120SM, IRFP450, CIM3N150, CIM6N120-220C, CIM6N120-220F, CIM6N120-247, P7515BDB, PM5G8EA, PR804BA33, QM0005D