Справочник MOSFET. CI72N65

 

CI72N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CI72N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 83 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 221 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CI72N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:785K  tokmas
 ci72n65.pdf pdf_icon

CI72N65

SJMOS N-MOSFETCI72N65FeaturesProduct Summary Ultra-fast body diode VDS650V Very low FOM RDS(on)QgRDS(on) typ. 44m Easy to use/driveID72AApplications100% DVDS Tested Switch Mode Power Supply (SMPS)100% Avalanche Tested Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) LLC Half-bridge ChargerKey Performance Parame

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: LSE70R380GT | CM20N50P | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK4108 | 2SK2424 | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.