CI72N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CI72N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 221 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для CI72N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CI72N65 даташит

 ..1. Size:785K  tokmas
 ci72n65.pdf pdf_icon

CI72N65

SJMOS N-MOSFET CI72N65 Features Product Summary Ultra-fast body diode VDS 650V Very low FOM RDS(on) Qg RDS(on) typ. 44m Easy to use/drive ID 72A Applications 100% DVDS Tested Switch Mode Power Supply (SMPS) 100% Avalanche Tested Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) LLC Half-bridge Charger Key Performance Parame

Другие IGBT... TSM650P03CX, TSM900N06CH, TSM900N06CP, TSM900N06CW, CI28N120SM, CI30N120SM, CI47N65, CI60N120SM, IRFP450, CIM3N150, CIM6N120-220C, CIM6N120-220F, CIM6N120-247, P7515BDB, PM5G8EA, PR804BA33, QM0005D