Справочник MOSFET. CI72N65

 

CI72N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CI72N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 221 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для CI72N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CI72N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:785K  tokmas
 ci72n65.pdf pdf_icon

CI72N65

SJMOS N-MOSFETCI72N65FeaturesProduct Summary Ultra-fast body diode VDS650V Very low FOM RDS(on)QgRDS(on) typ. 44m Easy to use/driveID72AApplications100% DVDS Tested Switch Mode Power Supply (SMPS)100% Avalanche Tested Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) LLC Half-bridge ChargerKey Performance Parame

Другие MOSFET... TSM650P03CX , TSM900N06CH , TSM900N06CP , TSM900N06CW , CI28N120SM , CI30N120SM , CI47N65 , CI60N120SM , IRF1407 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 , P7515BDB , PM5G8EA , PR804BA33 , QM0005D .

History: DMT10N60 | RUH1H150M-C | WFJ5N65B | SI2301BDS-T1-GE3 | SWI1N60 | HYG082N03LR1C1

 

 
Back to Top

 


 
.