CIM3N150 Todos los transistores

 

CIM3N150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CIM3N150

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 83 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 1500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 5 V

Carga de compuerta (Qg): 9.3 nC

Tiempo de elevación (tr): 17 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 104 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CIM3N150

 

CIM3N150 Datasheet (PDF)

0.1. cim3n150.pdf Size:1342K _tokmas

CIM3N150
CIM3N150

1500V N-Channel MOSFETV NCIM3N150General Description This Power MOSFET is produced using advanced self-aligned planar technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Gperformance, and withstand high energy pulse in the DSavalanche and commutation mode. TO-247-3These devices can be used in var

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