CIM3N150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CIM3N150
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de CIM3N150 MOSFET
CIM3N150 Datasheet (PDF)
cim3n150.pdf

1500V N-Channel MOSFETV NCIM3N150General Description This Power MOSFET is produced using advanced self-aligned planar technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Gperformance, and withstand high energy pulse in the DSavalanche and commutation mode. TO-247-3These devices can be used in var
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History: WMO14N65C4 | NTMS4939NR2G
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Liste
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