CIM3N150 - аналоги и даташиты транзистора

 

CIM3N150 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CIM3N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для CIM3N150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CIM3N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1342K  tokmas
 cim3n150.pdf pdf_icon

CIM3N150

1500V N-Channel MOSFETV NCIM3N150General Description This Power MOSFET is produced using advanced self-aligned planar technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Gperformance, and withstand high energy pulse in the DSavalanche and commutation mode. TO-247-3These devices can be used in var

Другие MOSFET... TSM900N06CH , TSM900N06CP , TSM900N06CW , CI28N120SM , CI30N120SM , CI47N65 , CI60N120SM , CI72N65 , 13N50 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 , P7515BDB , PM5G8EA , PR804BA33 , QM0005D , QN4103M6N .

History: GT10N10 | MLS60R380D | IPW65R019C7 | NCEP60T20 | IPW65R037C6

 

 
Back to Top

 


 
.