CIM3N150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CIM3N150  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CIM3N150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CIM3N150 даташит

 ..1. Size:1342K  tokmas
 cim3n150.pdf pdf_icon

CIM3N150

1500V N-Channel MOSFET V N CIM3N150 General Description This Power MOSFET is produced using advanced self-aligned planar technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching G performance, and withstand high energy pulse in the D S avalanche and commutation mode. TO-247-3 These devices can be used in var

Другие IGBT... TSM900N06CH, TSM900N06CP, TSM900N06CW, CI28N120SM, CI30N120SM, CI47N65, CI60N120SM, CI72N65, TK10A60D, CIM6N120-220C, CIM6N120-220F, CIM6N120-247, P7515BDB, PM5G8EA, PR804BA33, QM0005D, QN4103M6N