P7515BDB Todos los transistores

 

P7515BDB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P7515BDB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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P7515BDB Datasheet (PDF)

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P7515BDB

P7515BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID75m @VGS = 10V150V 19ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C19IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C11.7AIDM57Pulsed Drain Curr

Otros transistores... CI30N120SM , CI47N65 , CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 , STF13NM60N , PM5G8EA , PR804BA33 , QM0005D , QN4103M6N , ISCNH310P , ISCNH320K , ISCNH325W , ISCNH327P .

History: AUIRF1018E | NCEP039N10MD | IRFR410 | HYG013N03LS1C2 | SI5429DU | JCS4N60FB | SFG08R06DF

 

 
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