P7515BDB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P7515BDB  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de P7515BDB MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

P7515BDB datasheet

 ..1. Size:809K  unikc
 p7515bdb.pdf pdf_icon

P7515BDB

P7515BDB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 75m @VGS = 10V 150V 19A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 19 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 11.7 A IDM 57 Pulsed Drain Curr

Otros transistores... CI30N120SM, CI47N65, CI60N120SM, CI72N65, CIM3N150, CIM6N120-220C, CIM6N120-220F, CIM6N120-247, IRFP450, PM5G8EA, PR804BA33, QM0005D, QN4103M6N, ISCNH310P, ISCNH320K, ISCNH325W, ISCNH327P