P7515BDB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P7515BDB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 19 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de compuerta (Qg): 13.8 nC
Tiempo de elevación (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 74 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.075 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET P7515BDB
P7515BDB Datasheet (PDF)
0.1. p7515bdb.pdf 
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P7515BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID75m @VGS = 10V150V 19ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C19IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C11.7AIDM57Pulsed Drain Curr
Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .
