P7515BDB Todos los transistores

 

P7515BDB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P7515BDB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 19 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 13.8 nC

Tiempo de elevación (tr): 14 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 74 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.075 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P7515BDB

 

P7515BDB Datasheet (PDF)

0.1. p7515bdb.pdf Size:809K _unikc

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P7515BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID75m @VGS = 10V150V 19ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C19IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C11.7AIDM57Pulsed Drain Curr

Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
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