Справочник MOSFET. P7515BDB

 

P7515BDB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P7515BDB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P7515BDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:809K  unikc
 p7515bdb.pdf pdf_icon

P7515BDB

P7515BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID75m @VGS = 10V150V 19ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C19IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C11.7AIDM57Pulsed Drain Curr

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AON6224 | AON2409 | AON2240 | P3710BT

 

 
Back to Top

 


 
.