Справочник MOSFET. P7515BDB

 

P7515BDB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: P7515BDB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13.8 nC

Время нарастания (tr): 14 ns

Выходная емкость (Cd): 74 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для P7515BDB

 

 

P7515BDB Datasheet (PDF)

0.1. p7515bdb.pdf Size:809K _unikc

P7515BDB
P7515BDB

P7515BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID75m @VGS = 10V150V 19ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C19IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C11.7AIDM57Pulsed Drain Curr

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top