P7515BDB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P7515BDB  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P7515BDB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P7515BDB даташит

 ..1. Size:809K  unikc
 p7515bdb.pdf pdf_icon

P7515BDB

P7515BDB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 75m @VGS = 10V 150V 19A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 19 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 11.7 A IDM 57 Pulsed Drain Curr

Другие IGBT... CI30N120SM, CI47N65, CI60N120SM, CI72N65, CIM3N150, CIM6N120-220C, CIM6N120-220F, CIM6N120-247, IRFP450, PM5G8EA, PR804BA33, QM0005D, QN4103M6N, ISCNH310P, ISCNH320K, ISCNH325W, ISCNH327P