PM5G8EA Todos los transistores

 

PM5G8EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PM5G8EA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 20 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 8 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 5.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 1 V

Carga de compuerta (Qg): 7.3 nC

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 81 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0225 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23

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PM5G8EA Datasheet (PDF)

0.1. pm5g8ea.pdf Size:766K _unikc

PM5G8EA
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PM5G8EAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID22.5m @VGS = 4.5V20V 5.7ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C5.7IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC4.5IDM16Pulsed Drain Current1TA = 25 C1.25PD

Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
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