PM5G8EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PM5G8EA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 20 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de compuerta (Qg): 7.3 nC
Tiempo de elevación (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 81 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0225 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT23
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PM5G8EA Datasheet (PDF)
0.1. pm5g8ea.pdf 
Size:766K _unikc
PM5G8EAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID22.5m @VGS = 4.5V20V 5.7ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C5.7IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC4.5IDM16Pulsed Drain Current1TA = 25 C1.25PD
Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .
