PM5G8EA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PM5G8EA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0225 Ohm

Encapsulados: SOT23

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PM5G8EA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PM5G8EA datasheet

 ..1. Size:766K  unikc
 pm5g8ea.pdf pdf_icon

PM5G8EA

PM5G8EA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 22.5m @VGS = 4.5V 20V 5.7A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C 5.7 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 4.5 IDM 16 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 1.25 PD

 ..2. Size:774K  niko-sem
 pm5g8ea.pdf pdf_icon

PM5G8EA

N-Channel Enhancement Mode PM5G8EA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 22.5m 5.7A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Inte

Otros transistores... CI47N65, CI60N120SM, CI72N65, CIM3N150, CIM6N120-220C, CIM6N120-220F, CIM6N120-247, P7515BDB, 10N65, PR804BA33, QM0005D, QN4103M6N, ISCNH310P, ISCNH320K, ISCNH325W, ISCNH327P, ISCNH328W