PM5G8EA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PM5G8EA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0225 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PM5G8EA
Principales características: PM5G8EA
pm5g8ea.pdf
PM5G8EA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 22.5m @VGS = 4.5V 20V 5.7A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C 5.7 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 4.5 IDM 16 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 1.25 PD
pm5g8ea.pdf
N-Channel Enhancement Mode PM5G8EA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 22.5m 5.7A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Inte
Otros transistores... CI47N65 , CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 , P7515BDB , IRF1407 , PR804BA33 , QM0005D , QN4103M6N , ISCNH310P , ISCNH320K , ISCNH325W , ISCNH327P , ISCNH328W .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492