Справочник MOSFET. PM5G8EA

 

PM5G8EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PM5G8EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PM5G8EA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM5G8EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  unikc
 pm5g8ea.pdf pdf_icon

PM5G8EA

PM5G8EAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID22.5m @VGS = 4.5V20V 5.7ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C5.7IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC4.5IDM16Pulsed Drain Current1TA = 25 C1.25PD

 ..2. Size:774K  niko-sem
 pm5g8ea.pdf pdf_icon

PM5G8EA

N-Channel Enhancement Mode PM5G8EA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 22.5m 5.7A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Inte

Другие MOSFET... CI47N65 , CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 , P7515BDB , P0903BDG , PR804BA33 , QM0005D , QN4103M6N , ISCNH310P , ISCNH320K , ISCNH325W , ISCNH327P , ISCNH328W .

History: SRT15N059HS2 | NCE65TF099T | TK11Q65W | IRF8721G | 75NF75 | 7N80 | KP801B

 

 
Back to Top

 


 
.