Справочник MOSFET. PM5G8EA

 

PM5G8EA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PM5G8EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 7.3 nC

Время нарастания (tr): 18 ns

Выходная емкость (Cd): 81 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0225 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для PM5G8EA

 

 

PM5G8EA Datasheet (PDF)

0.1. pm5g8ea.pdf Size:766K _unikc

PM5G8EA
PM5G8EA

PM5G8EAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID22.5m @VGS = 4.5V20V 5.7ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C5.7IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC4.5IDM16Pulsed Drain Current1TA = 25 C1.25PD

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top